[发明专利]恢复电介质膜及电介质材料中疏水性的方法有效
| 申请号： | 01814550.7 | 申请日： | 2001-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN1502122A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | N·P·哈克尔;M·托马斯;J·S·德拉格 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘元金;郭广迅 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 二氧化硅电介质膜，不管是纳米孔泡沫二氧化硅电介质还是无孔二氧化硅电介质都易于受到制造方法和能减少或除去电介质表面疏水性的试剂的损伤。本发明提供了使这些基材上受损二氧化硅电介质膜具有疏水性能的方法。本发明还提供了使新的或受损的二氧化硅电介质膜具有疏水性的等离子体方法。还提供了通过本发明工艺制备的半导体设备。 | ||
| 搜索关键词： | 恢复 电介质 材料 疏水 方法 | ||
【主权项】：
1.一种使基材上损伤的二氧化硅电介质膜具有疏水性的方法，其中所述电介质膜已经以基本损坏或除去膜先前存在的疏水性的方式，与至少一种蚀刻剂或灰化剂接触过，该方法包括：(a)将损伤的二氧化硅电介质膜与表面改性组合物接触，其浓度和接触时间能有效地使二氧化硅电介质膜疏水；和(b)除去未反应的表面改性组合物、反应产物及它们的混合物；其中表面改性组合物包括至少一种适合于从损伤的二氧化硅电介质膜中除去硅烷醇部分的表面改性剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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