[发明专利]差别注入式材料处理系统无效
| 申请号： | 01814637.6 | 申请日： | 2001-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN1449455A | 公开（公告）日： | 2003-10-15 |
| 发明（设计）人： | 皮埃罗·斯弗拉佐 | 申请（专利权）人： | 尤纳克西斯美国公司 |
| 主分类号： | C23C14/46 | 分类号： | C23C14/46;C23C14/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 王志森,黄小临 |
| 地址： | 美国佛罗*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了一种包括沉积源的差别注入式沉积系统，该沉积源，如磁控管溅射源，置于第一小室。沉积源生成包括中性原子和分子的沉积流，限定孔的屏蔽物置于沉积流的路径上。屏蔽物使沉积流通过孔，并阻止沉积流越过屏蔽物的范围。基片承载器置于邻近屏蔽物的第二小室。第二小室中的压力低于第一小室的压力。双扫描系统按照第一和第二运动相对于孔扫描基片承载器，因而提高了沉积薄膜的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 差别 注入 材料 处理 系统 | ||
【主权项】：
1.一种差别注入式沉积系统，包括：a.置于第一小室的沉积源，该沉积源产生包括中性原子和分子的沉积流；b.限定位于沉积流路径中的孔的屏蔽物，该屏蔽物使沉积流通过孔，并在其它各处显著阻挡沉积流传播通过屏蔽物；c.置于邻近屏蔽物的第二小室中的基片承载器；第二小室中的压力低于第一小室中的压力；d.双扫描系统，用于按照第一和第二运动相对于孔扫描基片承载器。
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