[发明专利]形成具有改进的界面和粘合力的铜互连封盖层的方法有效
| 申请号： | 01814745.3 | 申请日： | 2001-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN1552096A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | M·V·郭;H·路奇;L·马奇利;J·渥哈奇;L·游;R·A·优儿他斯;R·何 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 使用含氨等离子体处理裸露平坦的铜或铜合金表面(30)后，通过延迟和/或慢慢加速地导进硅烷以沉淀氮化硅封盖层，可以明显地增加位障或封盖层(40)与铜或铜合金互连器件(13A)之间接口与粘着力的完整性。其它实施方案则包括于导入晶片以用于等离子体处理以前，在一提高的温度下使用氮气涤净反应室以移除残留的气体。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 改进 界面 粘合 互连 盖层 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，该方法依序包括：于第一压力的反应室中使用含氨等离子体处理铜(Cu)或铜合金表面(13A)；在一段约30秒至60秒的时间里，将该第一压力减压至约为50m托至100m托的第二压力；导引硅烷进入反应室中；以及在反应室中沉淀氮化硅位障层(40)于铜或铜合金层(13A)的表面(30)上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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