[发明专利]半导体集成电路器件及其制造方法

摘要

为了提供半导体集成电路器件，如能够减少SRAM之各个存储单元中产生的软错误的高性能半导体集成电路器件，采用从二氧化硅薄膜之表面上突出的形状，形成SRAM存储单元的交叉连接部分的布线的表面，该存储单元具有一对其栅极和漏极分别交叉连接的n沟道型MISFET。在布线上形成作为电容绝缘薄膜的氮化硅薄膜和上电极。由于可以利用布线、氮化硅薄膜和上电极形成电容，所以能够减少由α射线引起的软错误。由于可以在布线的各个侧壁上形成电容，所以能够增加容量。

主权项

1.一种具有多个存储单元的半导体集成电路器件，每个存储单元具有一对其栅极和漏极分别交叉连接的n沟道型MISFET元件，所述器件包括：在n沟道型MISFET上形成的夹层绝缘薄膜；连接栅极和漏极的导电层，所述导电层在从栅极延伸到漏极的连接孔内形成，并具有从所述夹层绝缘薄膜之表面突出的突出部分；沿所述导电层之上部和突出部分之侧壁形成的电容绝缘薄膜；以及在所述电容绝缘薄膜上形成的上电极。