[发明专利]高密度MRAM单元阵列无效
| 申请号： | 01814932.4 | 申请日： | 2001-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN1505837A | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 马克·杜尔拉姆;马克·德和雷拉;尤金·陈;赛德·特拉尼;格罗利亚·科斯考斯基;彼得·K·纳吉;乔恩·斯劳伏特;科利·W·凯勒 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L27/22 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 制造MRAM单元(10)的方法包含在半导体基底(11)上提供隔离晶体管(12)，以及在基底上形成与晶体管的一个端子连通的互连堆叠(13)。在堆叠的上端形成通孔(14)，以便从数元线(15)下面的位置延伸到数元线上面的位置。通孔还在电介质层(20)的上表面上延伸以提供对准键。MTJ存储器单元位于与通孔接触的上表面，并且使用侧壁隔层和选择性蚀刻从磁材料的栓固边缘的端部分隔磁材料自由层的端部。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 mram 单元 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种制造紧凑磁阻随机访问存储器单元的方法，包括的步骤有：提供在其上具有隔离晶体管的半导体基底；在基底上形成与晶体管的一个端子连通的互连堆叠；在与互连堆叠的上端相邻的位置设置位线；和在互连堆叠的上端形成通孔，以便从位线下面的位置延伸到位线上面的位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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