[发明专利]化学机械抛光的方法无效
| 申请号： | 01815147.7 | 申请日： | 2001-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN1474734A | 公开（公告）日： | 2004-02-11 |
| 发明（设计）人： | 南那次·坂;赖俊宇;伊拉里奥·L·奥 | 申请（专利权）人： | ASML美国公司;麻省理工学院 |
| 主分类号： | B24B49/00 | 分类号： | B24B49/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张金熹 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在用于微电子制造的化学机械抛光(CMP)过程中，可以提出在晶片表面和抛光垫之间的三个接触方式：直接接触、混合或部分接触、以及液面滑动。但是，表征晶片/垫板接触的有效的现场用的方法和把接触状态与过程参数相联系的系统方法还很缺乏。在本工作中，利用由晶片支架上的载荷传感器测量的表面间摩擦力来表征接触状态。制定了把摩擦系数与作用压力、相对速度和浆液粘度相联系的模型，并且用实验作了验证。此外，建立了摩擦系数和材料去除率(MRR)之间的关系，研究了过程参数对Preston常数的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 方法 | ||
【主权项】：
1.用抛光垫来化学机械抛光晶片表面的一个方法，包括以下步骤：以相对速度vR转动抛光垫和晶片中任何一个或两个；在作用压力p下推压晶片和垫板相互靠紧，其中p和vR值使得垫板和晶片之间的界面处于接触模式。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML美国公司;麻省理工学院，未经ASML美国公司;麻省理工学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01815147.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
