[发明专利]利用电泳进一步致密的SiO2成形体、其制造方法及用途无效
| 申请号： | 01815348.8 | 申请日： | 2001-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN1501897A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 弗里茨·施韦特费格;约翰·魏斯;罗尔夫·克拉森;扬·塔贝利恩 | 申请（专利权）人： | 瓦克化学有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/14 | 分类号： | C04B35/14;C25D13/02;C30B15/10;C30B35/00;C03B19/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备生坯密度极高的多孔SiO2生坯或生坯内具有以指定方式调节的密度梯度的多孔SiO2生坯的方法。按照本发明的方法，其特征在于通过电泳方式将SiO2颗粒沉积在生坯孔隙内，使已知的由无定形SiO2组成的多孔SiO2生坯进一步致密。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 电泳 进一步 致密 sio sub 成形 制造 方法 用途 | ||
【主权项】：
1、一种制备生坯密度极高的多孔SiO2生坯或生坯内具有特意设定的密度梯度的多孔SiO2生坯的方法，其特征在于通过电泳将SiO2颗粒沉积在生坯孔隙内，使已知的由无定形SiO2制成的多孔SiO2生坯进一步致密。
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