[发明专利]具有聚合网状结构的低介电常数材料无效
申请号: | 01815352.6 | 申请日: | 2001-07-12 |
公开(公告)号: | CN1455789A | 公开(公告)日: | 2003-11-12 |
发明(设计)人: | K·劳;F·Q·刘;B·科罗勒夫;E·布罗克;R·泽雷宾;D·纳勒瓦杰克 | 申请(专利权)人: | 霍尼韦尔国际公司 |
主分类号: | C08G14/04 | 分类号: | C08G14/04;C08G73/24;C08G63/78;C08G63/87 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 温宏艳,刘冬 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种低介电常数材料具有聚合网状结构,该网状结构由第一和第二成分制造。该第一成分包含聚合物链,并且该第二成分包含有中心部分的分子,并从中心部分延伸出至少三条臂,其中每条臂包括具有反应性基团的主链。当第一成分和第二成分经热活化时,在包括至少一个反应性基团的反应中,第一成分和第二成分形成聚合网状结构。所述低介电常数材料可有利地用于制造电子设备,特别是该电子设备包括集成电路。 | ||
搜索关键词: | 具有 聚合 网状结构 介电常数 材料 | ||
【主权项】:
1.一种低介电常数的材料,包含:由至少第一成分和第二成分制造的聚合网状结构;其中第一成分包含聚合物链;其中第二成分包含具有中心部分的分子,从中心分子至少延伸出3条臂,其中每条臂包括具有反应性基团的主链;和其中当第一和第二成分经热活化时,在包括至少一个反应性基团的反应中,第一成分和第二成分形成聚合网状结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于霍尼韦尔国际公司,未经霍尼韦尔国际公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/01815352.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:包括供水的泵
- 下一篇:集成电路浅沟槽隔离方法