[发明专利]在非平面的表面上产生导电结构的方法及其应用无效
| 申请号： | 01815517.0 | 申请日： | 2001-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN1456032A | 公开（公告）日： | 2003-11-12 |
| 发明（设计）人： | F·威斯特;I·艾西尔 | 申请（专利权）人： | 埃普科斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/10 | 分类号： | H05K3/10;H05K3/00;H01F41/04;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,张志醒 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在非平面的表面上产生导电结构的方法，以及所述方法的应用。本发明涉及在非平面的表面(1)上产生导电结构的方法，具有以下的步骤：a)在所述表面(1)上以电化学方式沉积光学抗蚀剂层(2)；b)对部分的光学抗蚀剂层(2)进行曝光；c)通过显影去除部分的光学抗蚀剂层(2)；d)在所述表面(1)从光学抗蚀剂层(2)露出的部分沉积导电材料(3)。此外本发明还涉及采用所述的方法生产微形化的线圈。通过在非平面的表面上电化学地沉积光学抗蚀剂层可以达到非常均匀的层厚。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 表面上 产生 导电 结构 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.非平面的表面(1)上产生导电结构的方法，具有以下的步骤：a)在所述表面(1)上以电化学方式沉积光学抗蚀剂层(2)b)对部分的光学抗蚀剂层(2)进行曝光c)通过显影去除部分的光学抗蚀剂层(2)d)在所述表面(1)从光学抗蚀剂层(2)露出的部分沉积导电材料(3)。
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