[发明专利]有助于残留物去除的各向同性电阻器保护蚀刻有效
| 申请号： | 01815564.2 | 申请日： | 2001-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN1460290A | 公开（公告）日： | 2003-12-03 |
| 发明（设计）人： | D·J·邦瑟;M·珀迪 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊,程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 各种制造例如栅极或电阻器的电路结构的方法。一方面，本发明提供制造电路结构的方法，该方法包括于基底(12)上形成硅结构(18)，且于该硅结构(18)上形成氧化膜(44)。掩模该氧化膜(44)的第一部份(30)同时留下未掩模的第二部分(22)。通过各向同性等离子蚀刻去除该氧化膜(44)的第二部分(22)以暴露该硅结构(18)的部分(22)，且将该氧化膜(44)的第一部份上的掩模去除。使用用以去除电阻器保护氧化层的各向同性蚀刻可减少隔离结构受损的可能性，而该隔离结构的受损系由与常规各向异性蚀刻技术有关的侵害性过度蚀刻所造成。 | ||
| 搜索关键词： | 有助于 残留物 去除 各向同性 电阻器 保护 蚀刻 | ||
【主权项】：
1.一种电路结构的制造方法，该方法包括：于基底(12)上形成硅结构(18)；于该硅结构(18)上形成氧化膜(44)；掩模该氧化膜(44)的第一部份(30)同时留下未掩模的第二部分(22)；通过各向同性等离子蚀刻而去除该氧化膜的第二部分(22)以暴露该硅结构(18)的一部分；以及使该氧化膜(44)的第一部份(30)去掉掩模。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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