[发明专利]多晶硅栅极蚀刻后的无机抗反射涂层的干式各向同性移除有效
| 申请号： | 01815622.3 | 申请日： | 2001-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN1457503A | 公开（公告）日： | 2003-11-19 |
| 发明（设计）人： | D·J·邦瑟;M·珀迪;J·H·小于塞 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊,程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供各种制造导体结构(10)的方法。一方面，本发明提供于第一工件(12)上制造导体结构(10)的方法。于第一工件(12)上形成硅膜(20)。于该硅膜(20)上形成抗反射涂层(22)。于该抗反射涂层(22)的第一部份上形成掩膜(24)，同时留下其未掩膜的第二部份。对该抗反射涂层(22)的第二部份及该硅膜(20)进行蚀刻。移除该掩膜(24)，然后利用各向同性等离子体蚀刻法将该抗反射涂层(22)移除。若利用各向同性蚀刻法来移除抗反射涂层，则可消除与加热的酸浴移除抗反射涂层有关的热震。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 栅极 蚀刻 无机 反射 涂层 各向同性 | ||
【主权项】：
1.一种于第一工件(12)上制造导体结构(10)的方法，该方法包括：于该第一工件(12)上形成硅膜(20)；于该硅膜(20)上形成抗反射涂层(22)；于该抗反射涂层(22)的第一部份上形成掩膜(24)，同时留下未掩膜的第二部份；对该抗反射涂层(22)的该第二部份及该硅膜(20)进行蚀刻；移除该掩膜(24)；以及利用各向同性等离子体蚀刻移除该抗反射涂层(22)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
