[发明专利]电子发射元件及其制造方法,以及采用其的图象显示装置无效
| 申请号： | 01815909.5 | 申请日： | 2001-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN1460275A | 公开（公告）日： | 2003-12-03 |
| 发明（设计）人： | 白鸟哲也;秋山浩二;黑川英雄 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02;H01J31/12;H01J29/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张天安,郑建晖 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种能改善所发射的电子的聚焦性能的电子发射元件。因此，在基片上依次层叠阴极电极、绝缘层、和电子牵引电极，在从前述牵引电极侧到阴极电极的孔的底面上，设有与前述阴极电极接触的电子发射层的电子发射元件中，该电子发射层设置成其表面比该阴极电极与该绝缘层之间的界面更靠近基片，而电子发射层与阴极电极之间的接触区域限于该孔的底面处的除了中心部的周围区域。因此，由于电子发射层接收来自位于其侧面的阴极电极的电子，所以电子主要从电子发射层表面的边缘部发射，借此提高电子的聚焦性能。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 发射 元件 及其 制造 方法 以及 采用 图象 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种电子发射元件，是在基片上依次叠层阴极电极和绝缘层和电子牵引电极，在从前述牵引电极侧到阴极电极的孔的底面上，设有与前述阴极电极接触的电子发射层的电子发射元件，其特征在于，前述电子发射层设置成其表面位于前述阴极电极与绝缘层的界面的基片侧，前述电子发射层与前述阴极电极的接触区域限定于前述孔的底面处的除了中心部的周围区域。
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