[发明专利]等离子体处理装置及排气环有效

专利信息
申请号: 01816013.1 申请日: 2001-11-02
公开(公告)号: CN1461494A 公开(公告)日: 2003-12-10
发明(设计)人: 小笠原正宏;加藤和也 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01L21/3065 分类号: H01L21/3065;H01J37/32
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 龙淳;沙捷
地址: 暂无信息 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明可以得到具有耐等离子体性高、可抑制异常放电的排气环的等离子体处理装置。处理室(100)包含配置上部电极(112)的顶板部(110),和配置可载置与上部电极(112)对置配置的下部电极(122)的容器部(120)。在下部电极(122)周围配以排气环(126),以便划分处理室(100)内的等离子体处理空间(102)和排气空间(104),在排气环(126)上形成贯通孔(126a)和比贯通孔(126a)数量少,且在等离子体处理空间(102)侧开口的盲孔(126b)。在排气环(126)的等离子体处理空间(102)侧表面上施以由Y2O3构成的绝缘膜。
搜索关键词: 等离子体 处理 装置 排气
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置,其具有:处理室;在所述处理室内可载置被处理体的第1电极;在所述处理室内与所述第1电极对置配置的第2电极;可向所述处理室内导入处理气体的处理气体供给系统;可对所述处理室内真空排气的排气系统;以及在所述第1及第2电极的至少一方上施加高频电力,使所述处理气体等离子体化,向所述被处理体实施规定的等离子体处理的高频电力供给系统,其特征为,在所述第1电极周围配置排气环,以便划分处理室内的等离子体处理空间和排气空间,在所述排气环上形成贯通孔和凹凸部。
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