[发明专利]等离子体处理装置及排气环有效
申请号: | 01816013.1 | 申请日: | 2001-11-02 |
公开(公告)号: | CN1461494A | 公开(公告)日: | 2003-12-10 |
发明(设计)人: | 小笠原正宏;加藤和也 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01J37/32 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳;沙捷 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明可以得到具有耐等离子体性高、可抑制异常放电的排气环的等离子体处理装置。处理室(100)包含配置上部电极(112)的顶板部(110),和配置可载置与上部电极(112)对置配置的下部电极(122)的容器部(120)。在下部电极(122)周围配以排气环(126),以便划分处理室(100)内的等离子体处理空间(102)和排气空间(104),在排气环(126)上形成贯通孔(126a)和比贯通孔(126a)数量少,且在等离子体处理空间(102)侧开口的盲孔(126b)。在排气环(126)的等离子体处理空间(102)侧表面上施以由Y2O3构成的绝缘膜。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 排气 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置,其具有:处理室;在所述处理室内可载置被处理体的第1电极;在所述处理室内与所述第1电极对置配置的第2电极;可向所述处理室内导入处理气体的处理气体供给系统;可对所述处理室内真空排气的排气系统;以及在所述第1及第2电极的至少一方上施加高频电力,使所述处理气体等离子体化,向所述被处理体实施规定的等离子体处理的高频电力供给系统,其特征为,在所述第1电极周围配置排气环,以便划分处理室内的等离子体处理空间和排气空间,在所述排气环上形成贯通孔和凹凸部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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