[发明专利]磁光记录介质及其再现方法无效
申请号: | 01816046.8 | 申请日: | 2001-10-25 |
公开(公告)号: | CN1462436A | 公开(公告)日: | 2003-12-17 |
发明(设计)人: | 田中努;三原基伸;玉野井健 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | G11B11/105 | 分类号: | G11B11/105 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李德山 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种磁光记录介质及其再现方法,所述磁光记录介质能够抵抗交扰和实现能够进行小节距应用的高密度记录。磁光记录介质包括一种磁性4层结构,一个掩模层、一个再现层、一个中间层及一个记录层,其特征在于,再现层和记录层在室温下具有在层叠方向上延伸的易磁化轴,掩模层和中间层每个在室温下具有在平面内方向上延伸的一个易磁化轴,当掩模层、再现层、中间层及记录层的居里温度分别是Tc1、Tc2、Tc3及Tc4,满足关系Tc3<Tc2、Tc3<Tc4及Tc3<Tc1,并且中间层是一个稀土为主的磁性层。 | ||
搜索关键词: | 记录 介质 及其 再现 方法 | ||
【主权项】:
1.一种磁光记录介质,它包括一个记录层、一个中间层及一个再现层,其中把数据从记录层转移到沿再现层扫描方向通过经光束斑点扫描的温度分布而产生的两个掩模区域之间的一个孔径上,由此读出数据,其中一个在室温下具有在平面内方向上延伸的易磁化方向的掩模层形成在再现层上,掩模层在由光束斑点给出的温度分布下,具有用来控制在沿扫描方向前后产生的两个掩模区域之间的孔径的横向膨胀的磁性性质。
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