[发明专利]基底及其制造方法,以及薄膜结构体有效
| 申请号： | 01816238.X | 申请日： | 2001-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN1466773A | 公开（公告）日： | 2004-01-07 |
| 发明（设计）人： | 奥村美香;堀川牧夫;石桥清志 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L29/84;G01P15/125 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 温大鹏;郑建晖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是关于一种基底及其制造方法，以及薄膜结构体，其目的在提供一种可减低热收缩时基底的氧化膜与形成于该氧化膜上的其他薄膜之间所产生的应力差，同时可缩短较厚的氧化膜形成时所需的成膜时间的基底及其制造方法，以及薄膜结构体。此外，为达成前述目的，本发明的基底(1)具备有：由硅所形成的基底本体(31)；以及形成于其上的基台用的氧化膜(33)。氧化膜(33)则具备有：由使基底本体(31)中的硅元素热氧化而形成的热SiO2膜所构成的第1氧化膜(61)；以及由在此氧化膜之上堆积而形成的高温氧化膜所构成的第2氧化膜(63)。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 及其 制造 方法 以及 薄膜 结构 | ||
【主权项】：
1.一种基底，具备有：以硅为主成份而形成的基底本体(31)：藉由使前述基底本体所包含的前述硅热氧化而形成于前述基底本体上的第1氧化膜(48)；于前述第1氧化膜上，堆积TEOS氧化膜而形成的第2氧化膜(49)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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