[发明专利]用于电光应用场合的高级NLO物质的设计和合成无效
| 申请号： | 01816258.4 | 申请日： | 2001-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN1466583A | 公开（公告）日： | 2004-01-07 |
| 发明（设计）人： | T·兰德甘;G·K·托多罗瓦;朱颈松;黄迪允 | 申请（专利权）人： | 卢美拉公司 |
| 主分类号： | C07D409/06 | 分类号： | C07D409/06;C07D333/38;C07F7/18;C07D495/04;G02F1/361 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 任宗华 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在各种实施方案中，描述了用于非线性光学应用场合的包括新型电子受体、新型电子给体、和/或新型共轭桥联的发色团。在一些实施方案中，本发明提供了发色团结构，其中在具有单一电子给体的电子通信中，发色团包含一个以上电子受体，和/或在具有单一电子受体的电子通信中包含一个以上电子给体。也描述了用于提供含有新型发色团的物质方法和含有新型发色团的聚合物基质的方法。本发明描述的电光设备包含一个或多个所述电子受体、电子给体、共轭桥联或发色团。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电光 应用 场合 高级 nlo 物质 设计 合成 | ||
【主权项】：
1.一种包含噻吩的发色团，其具有如下结构：![]()
其中，在各种情况下独立地，D是电子亲合性比A的电子亲合性低的给电子基团；π1不存在或是在D和噻吩环之间提供电子共轭的桥联；π2不存在或是在A和噻吩环之间提供电子共轭的桥联；A是电子亲合性比D的电子亲合性高的电子接受基团；X是O或S；R是烷基、芳基、杂烷基或杂芳基；和n是1、2、3或4。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于卢美拉公司，未经卢美拉公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01816258.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
