[发明专利]内部电压电平控制电路和半导体存储装置以及其控制方法有效
申请号: | 01816268.1 | 申请日: | 2001-07-24 |
公开(公告)号: | CN1466764A | 公开(公告)日: | 2004-01-07 |
发明(设计)人: | 高桥弘行;中川敦 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/407 | 分类号: | G11C11/407 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 穆德骏;关兆辉 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种降低消耗电力的电压电平控制电路及控制方法。信号A为“L”,从电压电平控制电路的外部输入的信号PL为“H”时,从锁存器(11)输出的锁存信号La为“H”,N·MOSFET(14,17,24)导通。这样,采用电阻(12,13)的分压电路、电流镜差动放大器(20,27)为有源状态,作为控制升压电压Vbt(字线驱动电压)的信号A,输出“H”。升压电压Vbt上升并达到基准电压Vref2时,电压V2为“H”,从而使信号A为“L”。信号A为“L”时,锁存器(11)变为通过,此时,因为信号PL为“L”,所以从锁存器(11)输出的锁存信号La为“L”,N·MOSFET(14,17,24)关断。这样,在不需要的时间段,使N·MOSFET(14,17,24)关断,以节省电力。 | ||
搜索关键词: | 内部 电压 电平 控制电路 半导体 存储 装置 及其 控制 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电压电平控制电路,与根据外部电源电压产生内部电压电平的内部电压电平产生电路相连接,检测并控制内部电压电平,所述电压电平控制电路包括:比较电路,与内部电压电平产生电路的输出端连接,至少根据1个基准电压来比较所述内部电压电平;和控制电路,与所述比较电路相连接,将比较电路控制为激活状态或非激活状态。
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