[发明专利]用于制造并进行流体喷射的流体喷射环和方法有效
申请号: | 01816316.5 | 申请日: | 2001-09-12 |
公开(公告)号: | CN1225770C | 公开(公告)日: | 2005-11-02 |
发明(设计)人: | S·M·史密斯;R·E·特罗伊尔 | 申请(专利权)人: | 兰姆研究有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 章社杲 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种在衬底中使用的流体喷射组件。流体喷射组件包括处理槽,设计该处理槽以便容纳将预加工的衬底。处理槽具有底部和侧壁。流体喷射组件还包括流体喷射环,该流体喷射环配置为安装到处理槽的侧壁。流体喷射环包括多个入口和出口对。多个入口和出口对的每一对设定在流体环中并设计为接收各自的供应管。各个供应管具有在流体喷射环的每个出口处终止的一个端部并配置为将流体直接送到达衬底表面上。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 进行 流体 喷射 方法 | ||
【主权项】:
1、一种在预加工衬底中使用的流体喷射组件,该流体喷射组件包括:设计为容纳预加工的衬底的处理槽,该处理槽具有底部和侧壁;配置以安装在处理槽的侧壁上的流体喷射环,该流体喷射环包括,在该流体喷射环中设定的多个入口和出口对,该多个入口和出口对的每一对设计为容纳各自的供应管,各个供应管具有在每个该流体喷射环的该出口处终止的一个端部,并配置为使流体直接到达衬底表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于兰姆研究有限公司,未经兰姆研究有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/01816316.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造