[发明专利]具有轻掺杂源结构的凹槽DMOS晶体管无效
| 申请号： | 01816385.8 | 申请日： | 2001-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN1552101A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 石甫渊;苏根政;崔炎曼 | 申请（专利权）人： | 通用半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 张天舒;谢丽娜 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种凹槽DMOS晶体管单元，其包括具有第一导电类型的衬底和位于衬底上的、具有第二导电类型的体区。至少一个凹槽延伸至体区和衬底。一个绝缘层对齐凹槽，和一个导电电极放在覆盖在所述绝缘层上的凹槽中。第一导电类型的源区位于临近凹槽的体区中。源区包括第一层和设置在第一层上的第二层。第一层具有相对低于第二层的掺杂浓度的第一导电类型的掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掺杂 结构 凹槽 dmos 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种凹槽DMOS晶体管单元，其包括：具有第一导电类型的衬底；位于所述衬底上的体区，所述体区具有第二导电类型；至少一个凹槽延伸至所述体区和衬底；对齐所述凹槽的绝缘层；覆盖在所述绝缘层上的导电电极；和在临近所述凹槽的体区中、具有第一导电类型的源区，所述源区包括第一层和设置在第一层上的第二层，相对于第二层的掺杂浓度，第一层具有较低的第一导电类型的掺杂浓度。
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