[发明专利]抗蚀图、其制造方法及其应用有效

专利信息
申请号: 01816402.1 申请日: 2001-09-26
公开(公告)号: CN1466706A 公开(公告)日: 2004-01-07
发明(设计)人: 名取美智子;日高敬浩 申请(专利权)人: 日立化成工业株式会社
主分类号: G03F7/027 分类号: G03F7/027;G03F7/004;G03F7/028;H01L21/027;H05K3/18;H05K3/06
代理公司: 北京银龙专利代理有限公司 代理人: 徐川
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 为提供一种能抑制导体电阻降低的微细电路,适于半导体封装基板电路高密度化的抗蚀图,本发明提供一种膜厚1~100微米、形状比(线宽与抗蚀图膜厚之比)3.5以上的抗蚀图。这种抗蚀图,例如可以用含有(A)粘合聚合物,(B1)分子中有三个乙烯系不饱和键的光聚合性化合物,(C)光聚合引发剂和(D)通式(I)或通式(II)表示的化合物中一种或两种化合物的感光性树脂组合物制造。
搜索关键词: 抗蚀图 制造 方法 及其 应用
【主权项】:
1.一种抗蚀图,其中膜厚为1~100微米、形状比(线宽与抗蚀图膜厚之比)为3.5以上。
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