[发明专利]可写的跟踪单元有效

专利信息
申请号: 01816449.8 申请日: 2001-09-25
公开(公告)号: CN1466765A 公开(公告)日: 2004-01-07
发明(设计)人: 莎扎德·B·卡里德;丹尼尔·C·古特曼;杰弗里·S·宫沃;理查德·斯穆克;凯文·M·康雷 申请(专利权)人: 三因迪斯克公司
主分类号: G11C11/56 分类号: G11C11/56;G11C27/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 郭思宇
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明提出了使用可写跟踪单元的几种技术。为存储器的每个写入块配置多个跟踪单元。每次相关写入块的用户单元被写入时,通过利用相同的固定全局基准电平设置跟踪单元编程的阈值和用户单元编程的阈值,最好同时对这些跟踪单元重新编程。每次读取用户单元时,读取跟踪单元的阈电压,这些阈电压被用于确定用户单元的保存逻辑水平。在一组实施例中,多组一个或多个跟踪单元与多态存储器的不同逻辑水平相联系。可以只为逻辑水平的子集设置这些跟踪单元组。根据该子集,得到所有逻辑水平的用于变换阈电压的读取点。在一个实施例中,分别由多个跟踪单元组成的两个跟踪单元组与多位单元的两个逻辑水平相关。在模拟实现方式中,直接利用跟踪单元组的模拟阈值读取用户单元,而不必首先把跟踪单元组的模拟阈值转换成数字值。一组备选实施例使用不同的电压和/或计时进行跟踪单元的写操作,以便提供不定性较低的跟踪单元最终写入阈值。
搜索关键词: 跟踪 单元
【主权项】:
1、一种多态存储器,包括:若干多态存储单元,每个多态存储单元用于保存N种状态之一;M组跟踪单元,M至少为1,其中每个所述跟踪单元组与所述多态之一相关,并且M小于N;和根据与所述多组跟踪单元的编程的状态相关的阈电压,利用所述若干多态中每个多态的读取点,读取所述多态存储单元的读取电路。
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