[发明专利]电极构造、薄膜构造体的制造方法有效
申请号: | 01816484.6 | 申请日: | 2001-07-30 |
公开(公告)号: | CN1466775A | 公开(公告)日: | 2004-01-07 |
发明(设计)人: | 堀川牧夫;石桥清志;奥村美香 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L29/84 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张天安;杨松龄 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的主要目的在于提供一种不会去除其他的绝缘膜而去除腐蚀膜的电极构造、薄膜构造体的制造方法。为了达到上述目的而形成地锚孔(52),该地锚孔是将腐蚀膜(51)、氮化膜(47)所覆盖的配线(45)的表面开口而形成的。地锚孔(52)由具有氮化膜(47)的孔部(47c)和腐蚀膜(51)的开口(51a)构成。孔部(47c)从配线(45)表面的边部(45a)仅进入配线(45)的内方第一规定距离(d1)而开口。开口(51a)从孔部(47c)仅后退第二规定距离(d2)而开口。由于第一及第二规定距离(d1、d2)的存在,故去除腐蚀膜(51)用的腐蚀剂渗入氧化膜(33)的距离长。 | ||
搜索关键词: | 电极 构造 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电极构造,包括:选择性地配置在第一绝缘膜(33)上的配线(45);第二绝缘膜(47),它覆盖上述第一绝缘膜,具有从上述配线表面的边部(45a)仅进入上述配线内方第一规定距离(d1),选择性地露出上述配线表面的孔部(47c),选择性地覆盖上述配线;腐蚀膜(51),它具有选择性地露出上述配线的表面的开口(51a),至少选择性地形成于上述第二绝缘膜上;由导电材料构造的薄膜层(53),该薄膜层与经由上述开口及孔部选择性地露出的上述配线的表面相连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社,未经三菱电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/01816484.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造