[发明专利]选择性腐蚀氧化物的方法有效
| 申请号： | 01816653.9 | 申请日： | 2001-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1468445A | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | M·F·欣曼;K·J·托勒克 | 申请（专利权）人： | 微米技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 周承泽 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开一种改进的干等离子体清洁方法，用来从半导体衬底上的绝缘层中形成的孔中除去固有氧化物、或其他氧化物薄膜或生成的残留物，不会损害衬底或明显影响孔的临界尺寸。首先，将三氟化氮(NF3)、氨(NH3)和氧(O2)的混合物注入微波等离子体源被其激发，然后，等离子体从等离子体源向下前流到内有衬底的反应室。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 腐蚀 氧化物 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体腐蚀半导体衬底的方法，所述方法包括下列步骤：在等离子体源室内通入包含NH3、NF3和O2的气体混合物，所述等离子体源室位于装有半导体衬底的等离子体室的前面；在所述等离子体源室中产生所述气体混合物的等离子体；使所述等离子体源室的等离子体向前流动进入等离子体室；使所述衬底与所述等离子体接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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