[发明专利]原子层掺杂装置和方法有效
| 申请号： | 01816669.5 | 申请日： | 2001-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN1468329A | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | G·萨德胡;T·T·多安 | 申请（专利权）人： | 微米技术股份有公司 |
| 主分类号： | C30B31/00 | 分类号： | C30B31/00;C30B35/00;C30B31/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 揭示了一种改进的具有多个掺杂区域的原子层掺杂装置，其中首先沉积各种掺杂物质，然后将其中包含的掺杂物原子扩散到基层中。各个掺杂区域与相邻的掺杂区域化学隔离。对加载装置编程，使之以预定的传递次序将半导体基层移入和移出各个相邻的掺杂区域。根据所提供的掺杂区域数目，可同时处理多个基层并沿着掺杂区域的循环移动，直到取得所需的掺杂分布。 | ||
| 搜索关键词： | 原子 掺杂 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种原子层掺杂装置，其特征在于，包括：第一原子层掺杂区域，用于在第一基层上沉积第一掺杂物作为单层；第二原子层掺杂区域，用于在所述第一基层中扩散所述第一掺杂物，所述第一和第二掺杂区域互相化学隔离；和加载装置，用于将所述第一基层从所述第一掺杂区域移到所述第二掺杂区域，使得能够在所述第一掺杂区域中进行第一原子层单层的沉积，然后是在所述第二掺杂区域中进行所述第一原子单层的扩散。
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