[发明专利]真空处理装置有效
申请号: | 01816762.4 | 申请日: | 2001-10-01 |
公开(公告)号: | CN1468444A | 公开(公告)日: | 2004-01-14 |
发明(设计)人: | 今福光祐;肥田刚 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 使装置的维修更加容易,能够延长维修周期,提高产出率。处理室(2)和预真空室(3)由在壁上形成的搬送口(20)连接。在搬送口(20)的内壁,设置有由多个部件构成的、自由装卸的闸门衬套(100)。在进行搬送口内壁的维修时,能够只把闸门衬套(100)取出而容易进行洗净、更换。在闸门衬套(100)的表面和闸阀(4)的覆盖搬送口(20)的部分表面上施有由耐等离子体腐蚀性高的稀土类氧化物喷镀被覆膜形成的绝缘被覆膜(200、300)。因此,这些表面难以被等离子体损伤,可以降低金属的污染和粉尘的产生。 | ||
搜索关键词: | 真空 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种真空处理装置,其特征在于,在真空处理室的壁上形成的被处理体的搬送口的内壁处,设置自由装卸地构成的衬套部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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