[发明专利]半导体工艺用的具有远程第二阳极的电镀系统有效
| 申请号： | 01816765.9 | 申请日： | 2001-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN1529903A | 公开（公告）日： | 2004-09-15 |
| 发明（设计）人： | 泉明国 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;王初 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于半导体晶片(66)的电镀系统(50)，该系统包含通过循环系统(52、56、58)连接至电镀溶液储存槽(60)的电镀腔体(52)。该半导体晶片(66)和惰性主阳极(64)用于阴极并在电镀腔体(52)中。在电镀溶液储存槽(60)内的可消耗式远程次阳极(75)提供用于电镀的金属离子。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 具有 远程 第二 阳极 电镀 系统 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体晶片(66)的电镀系统(50)，包括：电镀腔体(52)；连接至该电镀腔体(52)的电镀溶液储存槽(60)；在该电镀腔体(52)与该电镀溶液储存槽(60)之间用于循环电镀溶液(72)用的循环系统(52、56、58、61)；位于该电镀腔体(52)内且可连接至正电压源(62)的惰性主阳极(64)；位于该电镀腔体(52)内且可将该半导体晶片(66)连接至负电压(70)源的半导体晶片连接线(69)；以及位于电镀溶液储存槽(60)内且可连接至该正电压源(62)的可消耗式远程次阳极(75)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于先进微装置公司，未经先进微装置公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01816765.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件及其制造方法
- 下一篇：一种切割装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
