[发明专利]金属容器结构的平面化无效
| 申请号： | 01816832.9 | 申请日： | 2001-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN1636262A | 公开（公告）日： | 2005-07-06 |
| 发明（设计）人： | S·杨;J·M·德尔南 | 申请（专利权）人： | 微米技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 张政权 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在绝缘材料内形成的开孔中提供导电材料。该过程包括：首先在至少一部分该开孔和该开孔外的至少一部分绝缘材料上形成导电材料。接着，含金属的填充材料在开孔内部并且也在该开孔外的绝缘材料上的至少一部分导电材料上形成。该含金属的填充材料至少部分地填充该开孔。然后，至少一部分该含金属的材料以及该开孔外的导电材料被移除。此后，该开孔内的至少一部分含金属的填充材料接着被移除。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 容器 结构 平面化 | ||
【主权项】：
1.一种在开孔内提供导电材料的方法，其特征在于包括：在所述开孔内和所述开孔外的至少一部分绝缘材料上形成所述导电材料；在至少一部分所述导电材料上形成含金属的填充材料，从而使至少一些所述含金属的填充材料位于所述开孔中；移除所述开孔外的所述绝缘材料上的至少一部分所述导电材料；以及从所述开孔移除至少一部分所述含金属的填充材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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