[发明专利]集成电路用的底面连接件及形成该底面连接件的方法有效
| 申请号： | 01816874.4 | 申请日： | 2001-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN1706039A | 公开（公告）日： | 2005-12-07 |
| 发明（设计）人： | J·A·雅克伯尼;J·C·米司科 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一自集成电路器件底面形成的连接件(146)，包括一形成于该集成电路器件的第一表面上的第一导电层(114)及一形成于该集成电路器件的第二表面(141)上的第二导电层。该二导电层由一贯穿一分隔该二导电层的半导体基底(110)的开口(144)相连结。用以制成该底面连接件(146)的方法包括形成该第一导电层(114)，再形成一贯穿该半导体基底(110)以曝露出该第一导电层(114)至少一部分底面(116)的开口(144)，而后将导电材料(150)填充于该开口孔(144)中以提供一该集成电路器件底面上的第一导电层(114)的导电连接件。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 底面 连接 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一半导体器件中的一种电气结构，所述的结构有一末端电连接到所述半导体器件的一电互连件(114)，一连接区(152)，和一电连接到末端和连接区(152)的中间部分，其特征在：所述的连接区(146)形成于所述半导体器件的底面(141)；以及所述的中间部分(150)通过所述的半导体器件的基底部分(110)在末端和连接区(152)之间延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
