[发明专利]用于光电子学的半导体芯片及其制造方法有效

专利信息
申请号: 01817035.8 申请日: 2001-08-08
公开(公告)号: CN1592974A 公开(公告)日: 2005-03-09
发明(设计)人: S·伊莱克;A·普勒斯尔;K·施特罗伊贝尔;W·维格莱特;R·维尔斯 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L27/15
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 胡强;赵辛
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 半导体芯片,尤其是发射辐射的半导体芯片,它具有一个有源薄膜层(2)和一个用于薄膜层(2)的载体衬底(1),在该薄膜层中形成一个发射光子的区域(3),该衬底设置在薄膜层(2)的背对芯片辐射方向的那侧上并与该薄膜层连接。在有源薄膜层(2)中,从载体衬底(1)起形成至少一个孔洞(8),通过该孔洞,在载体衬底(1)与薄膜层(2)之间的分界处形成许多个台面(4)。
搜索关键词: 用于 电子学 半导体 芯片 及其 制造 方法
【主权项】:
1、用于光电子学的半导体芯片,尤其是发射辐射的半导体芯片,它具有-一个有源薄膜层(2),在该薄膜层中形成一个发射光子的区域(3),-一个用于薄膜层(2)的载体衬底(1),它设置在该薄膜层(2)的背对芯片发射方向的那侧上并与该薄膜层连接,其特征在于,在该有源薄膜层(2)中,从载体衬底(1)起地形成有至少一个孔洞(8),通过该孔洞在载体衬底(1)和薄膜层(2)之间的分界处形成许多个台面(4)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司,未经奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/01817035.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top