[发明专利]平面双端开关无效
申请号: | 01817267.9 | 申请日: | 2001-10-12 |
公开(公告)号: | CN1470077A | 公开(公告)日: | 2004-01-21 |
发明(设计)人: | 采拉德·迪克雷尤克斯 | 申请(专利权)人: | ST微电子公司 |
主分类号: | H01L29/861 | 分类号: | H01L29/861;H01L25/07 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 马浩 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 本发明涉及一个非对称双端开关,它包括一个具有第一导电类型且具有高掺杂水平的衬底(21),一个位于衬底(21)上表面以上的具有第二导电类型的外延层(22),一个位于外延层上表面以上的具有第一导电类型的高掺杂区域(24),一个位于具有第一导电类型的区域(24)以下且不被其相对覆盖的、具有第二导电类型且比外延层更重掺杂的区域(23),一个位于第一区域以外的具有第二导电类型且比外延层更重掺杂的沟道停止环(25),和一个位于所述环以外且和衬底相接的具有第一导电类型的器壁(26)。 | ||
搜索关键词: | 平面 开关 | ||
【主权项】:
1.一种非对称的双端开关包括:一个具有第一导电类型且具有高掺杂水平的衬底(21),一个位于衬底(21)上表面上的具有第二导电类型的轻掺杂的外延层(22),一个位于所述外延层上表面上的具有第一导电类型的重掺杂区域(24),一个位于第一导电类型区域(24)以下且不延伸出该区域的,具有第二导电类型且比所述外延层更重掺杂的区域(23),一个位于第一区域以外的具有第二导电类型且比所述外延层更重掺杂的沟道停止环(25),和一个位于所述环以外且和衬底相接的具有第一导电类型的器壁(26)。
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