[发明专利]硅蚀刻和腔室清洁工艺的集成无效
| 申请号： | 01817376.4 | 申请日： | 2001-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN1717787A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 刘伟;S·威廉斯;S·然;D·梅;M·沈 | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民;彭益群 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种加工被置于有电源的基片加工腔室中的基片的方法，其包括把基片送入基片加工腔室。通过暴露该基片于一等离子体并使该等离子体偏向所述基片而在所述基片上蚀刻一个沟槽，该等离子体是通过从电源系统施加RF能量由第一蚀刻剂气体形成。不施加偏置功率或施加最小偏置功率，通过在基片加工腔室内激发等离子体把粘附在所述的基片加工腔室内表面的副产物除去，该等离子体是由含卤素源的第二蚀刻剂气体而形成。然后，从该腔室移出该基片。在执行干清洁操作或湿清洁操作之前，在腔室内用蚀刻沟槽步骤和除去蚀刻副产物步骤加工至少100个以上的基片。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 清洁 工艺 集成 | ||
【主权项】：
1.一种加工被置于基片加工腔室内的硅基片的方法，该基片加工腔室有电源系统和偏压源系统，所述方法包括：把所述基片送入所述基片加工腔室；通过暴露所述基片于一等离子体中并使该等离子体偏向所述基片而于所述基片上蚀刻沟槽，该等离子体是通过自电源系统施加RF能量由第一蚀刻剂气体而形成的；不施加偏置功率或施加最小偏置功率，通过在基片加工腔室内激发等离子体把粘附在所述的基片加工腔室内表面的副产物除去，该等离子体是由含卤素源的第二蚀刻剂气体而形成；以及然后从所述的腔室移出所述的基片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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