[发明专利]封装的管芯封装件上的直接增加层有效

专利信息
申请号: 01817394.2 申请日: 2001-08-10
公开(公告)号: CN1535479A 公开(公告)日: 2004-10-06
发明(设计)人: X·-C·穆;Q·马;H·福吉莫托 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 肖春京;郑建晖
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一微电子封装件,包括具有有效表面的微电子管芯和至少一个侧面。封装材料邻近微电子管芯侧设置,其中,封装材料包含至少一个基本与微电子管芯有效表面相平的表面。第一介电材料层可以设在微电子管芯有效表面和封装材料表面的至少一部分上。然后在第一介电材料层上设有至少一个导电轨迹。导电轨迹与微电子管芯有效表面电接触。至少一个导电轨迹邻近微电子管芯有效表面和封装材料表面伸展。
搜索关键词: 封装 管芯 直接 增加
【主权项】:
1.一种微电子封装件,包括:微电子管芯,其具有有效表面和至少一个侧面;封装材料,其邻近所述至少一个微电子管芯侧面,其中,所述封装材料包含至少一个与所述微电子管芯有效表面基本相平的表面;第一介电材料层,其设在所述微电子管芯有效表面和所述封装材料表面的至少一部分上;至少一个导电轨迹,其设在所述第一介电材料层上且与所述微电子管芯有效表面电接触,其中,所述至少一个导电轨迹邻近所述微电子管芯有效表面和所述封装材料表面伸展。
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