[发明专利]用于在动态随机存取存储器中隐藏刷新的方法和系统无效
| 申请号： | 01817488.4 | 申请日： | 2001-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN1471710A | 公开（公告）日： | 2004-01-28 |
| 发明（设计）人： | 布伦特·基斯;布赖恩·M·舍利;凯文·J·瑞安;查尔斯·H·丹尼森 | 申请（专利权）人： | 米克伦技术公司 |
| 主分类号： | G11C7/00 | 分类号： | G11C7/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 夏青 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于刷新动态随机存取存储器(“DRAM”)(40)的方法和系统，包括用于多个存储体的每一个的一对存储器阵列。DRAM(40)包括通常的寻址和数据通路电路，以及刷新控制器(70)，以充分地隐藏刷新的方式刷新阵列，使得DRAM(40)可被用于代替SRAM作为超高速缓冲存储器(236)。由于一次只刷新每个存储体中的一个阵列，刷新控制器(70)能允许数据被写入未被正在刷新的阵列。然后刷新控制器(70)使得写数据被临时存储，以便能将其写入已完成阵列之刷新的阵列。如果两个阵列均未被正在刷新时，该数据被写入两个阵列。通过第一检验以确定是否正在刷新任何一个阵列，从阵列中读取数据。如果是的话，从未被正在刷新的阵列读取数据。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 动态 随机存取存储器 隐藏 刷新 方法 系统 | ||
【主权项】：
1、一种动态随机存取存储器(“DRAM”)，包括：第一阵列的存储单元；第二阵列的存储单元；地址电路，适于接收一地址并被构成以访问对应于该地址的该第一和第二阵列中的位置；数据通路电路，被构成以在数据终端和第一及第二阵列之间耦合数据；控制电路，适于接收存储命令，并被构成以产生对应于所述存储命令的控制信号，以访问第一和第二阵列；以及刷新电路，被连接到该控制电路和该第一及第二阵列，该刷新电路被构成以刷新该第一阵列或第二阵列中的存储单元，该刷新电路被构成以根据是否正在刷新第一阵列和是否正在刷新第二阵列的任一操作而控制对第一和第二阵列中的一个的存取。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于米克伦技术公司，未经米克伦技术公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01817488.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
