[发明专利]一种化学－机械抛光浆料和方法有效
| 申请号： | 01817652.6 | 申请日： | 2001-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN1633698A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | 何亦轩;拉曼纳萨·斯里尼瓦桑;瑟亚德瓦拉·巴布;苏勒施·拉玛拉汉 | 申请（专利权）人： | 福禄有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B44C1/22 |
| 代理公司： | 北京金信联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴磊 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种在金属镶嵌结构的制作过程中移除阻挡层所用的化学－机械抛光浆料。本发明的浆料包括可抑制在下面的含硅电介质层移除速率的试剂。目前，在本发明的最优选实施例中，可抑制在下面的含硅电介质层移除速率的试剂是左旋赖氨酸和/或左旋精氨酸。本发明也提供一种在金属镶嵌结构的阻挡层的化学－机械抛光过程中可抑制下面的含硅电介质层的移除速率的方法。本发明的方法包括用包含有可抑制所述的在下面的含硅电介质层的移除速率的试剂的浆料抛光阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化学 机械抛光 浆料 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在金属镶嵌结构的制作过程中移除阻挡层所用的化学-机械抛光浆料，包括可抑制在下面的含硅电介质层移除速率的试剂。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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