[发明专利]非易失性无源矩阵及其读出方法

摘要

在一种包括展示出磁滞现象的电子可极化介电存储材料(12)的非易失性无源矩阵存储器件(10)中，第一组和第二组(14；15)寻址电极构成存储器件的字线(WL)和位线(BL)。存储单元(13)被限定在字线(WL)和位线(BL)之间的重叠处的存储材料(12)中。字线(WL)被分成多段(S)，每段共享邻接位线(BL)并由其限定。提供装置(25)来用于将一个段(S)的每个位线(BL)与一个读出装置(26)相连，从而允许经由段(S)的位线(BL)为读出而同时连接一个字线段(15)的所有存储单元(13)。每个读出装置(26)读出位线(BL)中的电流，以便确定所存储的逻辑值。在一种读出方法中，通过在一个读周期的至少一个部分期间将其电位设置到存储单元(13)的一个转换电压V_s来激活段(S)的一个字线(WL)，同时将段(S)的位线(BL)保持在零电位，在该读周期期间由读出装置(26)读出存储在单个存储单元(13)中的逻辑值。在大容量数据存储装置中的使用。

主权项

1.一种非易失性无源矩阵存储器件(10)，包括展示出磁滞现象的电子可极化介电存储材料(12)、尤其是铁电材料，其中，所述存储材料(12)在夹在第一组和第二组(14；15)相应的平行寻址电极之间的层中提供，其中，第一组(14)电极构成存储器件的字线(WL1，...m)，并以与第二组(15)电极基本上正交的关系提供，后者构成存储器件的位线(BL1，...n)，其中，将带有电容特征的结构的存储单元(13)限定在字线和位线之间的交叉处的存储材料(12)中，其中，存储器件的存储单元(13)构成无源矩阵(11)的元件，其中，可以通过字线(WL)和位线(BL)为一个写/读操作有选择地寻址每个存储单元(13)，其中，对存储单元(13)的写操作依靠通过经由限定所述单元的相应字线(WL)和位线(BL)而施加到所述单元上的电压在该单元中建立所希望的极化状态来产生，其中，所述施加的电压或者在存储单元(13)中建立一个所确定的极化状态，或者能够在其极化状态之间转换，以及，其中，读操作通过将一个小于转换或极化电压Vs的电压施加到存储单元(13)上并检测位线(BL)上的输出电流的至少一个电参数来产生，其特征在于，字线(WL)被分成许多段(S1，...q)，每段包括矩阵(11)中的多个邻接位线(BL)并由其限定，并且，提供装置(25)，用于将分配给一个段(S)的每个位线(BL)与一个相关读出装置(26)相连，从而允许分配给一个段(S)上的一个字线(WL)的所有存储单元(13)经由所述段(S)的对应位线(BL)同时连接用于读出，每个读出装置(26)适于读出与其相连的位线(BL)中的电流，以便确定存储在由所述位线限定的存储单元(13)中的逻辑值。