[发明专利]双扩散型金氧半导体晶体管的制造方法有效

申请号：	01818142.2	申请日：	2001-10-17
公开（公告）号：	CN1471729A	公开（公告）日：	2004-01-28
发明（设计）人：	K·米勒;C·瓦格纳;K·罗斯奇劳	申请（专利权）人：	因芬尼昂技术股份公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L21/8234
代理公司：	中国专利代理(香港)有限公司	代理人：	胡强;赵辛
地址：	德国***	国省代码：	德国;DE
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摘要：	本发明提供双扩散型金氧半导体(DMOS)晶体管的制造方法。本发明的优点是，通过使用一个保护层使已基本完成的DMOS晶体管结构免于受到后续加工步骤的负面影响。根据本发明，DMOS栅极并不是象在现有技术中常见的那样利用唯一一个光刻步骤而形成有图形的，而是将DMOS栅极的成图分为两个光刻步骤。在第一光刻步骤中，基本上只在源极区(9)上敞露DMOS晶体管结构。因此，仍然存在的电极层便可以作为掩模被用于质地区(8)的后续加工。
搜索关键词：	扩散型金氧半导体晶体管制造方法
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【主权项】：

1、制造双扩散型金氧半导体晶体管结构的方法，它包括下列步骤：A)提供一个具有一栅极氧化物(3)的半导体衬底(1)；B)一个导电层(4)被涂到该栅极氧化层(3)上；C)使该导电层(4)形成有图形，其中基本上只有安置在随后的源极区(9)上方的导电层(4)部分被除去；D)产生该质地区(8)及该源极区(9)；E)涂上至少一个保护层(14)；F)使保护层(14)及该导电层(4)形成有图形，由此产生该栅极；G)至少在源极区(9)上方除去该保护层(14)。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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