[发明专利]具有无镓层的III族氮化物发光器件有效
| 申请号： | 01818295.X | 申请日： | 2001-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN1473363A | 公开（公告）日： | 2004-02-04 |
| 发明（设计）人： | J·A·爱德蒙德;K·M·德弗斯派克;孔华双;M·J·博格曼 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蔡胜有 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明是用于发光器件的半导体结构，该发光器件能够发射电磁光谱的红色光到紫外光部分的光。该半导体结构包括：III族氮化物的第一覆盖层、III族氮化物的第二覆盖层和位于第一和第二覆盖层之间的III族氮化物的有源层，有源层的带隙比第一和第二覆盖层的各自的带隙都小。该半导体结构的特征在于在这些结构层的一个或者多个层中不含镓。 | ||
| 搜索关键词： | 有无 iii 氮化物 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种用于发光器件的半导体结构(10)，该发光器件能够发射电磁光谱的红光至紫外光部分的光，所述结构(10)包括：AlxInyGa1-x-yN的第一覆盖层(11)，其中0≤x≤1且0≤y≤1且(x+y)≤1；AlxInyGa1-x-yN的第二覆盖层(12)，其中0≤x≤1且0≤y≤1且(x+y)≤1；和AlxInyGa1-x-yN的有源层(13)，其中0≤x≤1且0≤y≤1且0≤(x+y)≤1，所述有源层(13)位于所述第一覆盖层(11)和所述第二覆盖层(12)之间；其中所述第一和第二覆盖层(11-12)具有各自的带隙，每个所述带隙比有源层(13)的带隙大；和其中选自所述第一覆盖层(11)、所述第二覆盖层(12)和所述有源层(13)的至少一个层的特征在于不含有镓。
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