[发明专利]用高生长速率制备低缺陷密度硅的方法无效
| 申请号： | 01818313.1 | 申请日： | 2001-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN1473213A | 公开（公告）日： | 2004-02-04 |
| 发明（设计）人： | R·J·法尔斯特;V·沃龙科夫 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00;C30B15/14 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于生长单晶硅锭的方法，上述单晶硅锭含有一个基本上没有附聚的本征点缺陷的轴向上对称的区域。上述方法包括(i)在恒定直径部分内部形成一个其中空位是主要本征点缺陷的区域；(ii)加热晶锭的侧表面以使硅自填隙原子从加热的表面热诱生向里流入上述区域，这样减少上述区域的空位浓度；及(iii)使上述区域在高于温度TA下保温，在上述区域形成和该区域中空位浓度减少之间的这段时间里，在温度TA下发生空位点缺陷附聚成附聚的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 速率 制备 缺陷 密度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备硅单晶的方法，其中熔化的硅按照直拉法固化在一个晶体上，以便形成一个晶锭，该晶锭具有一个中心轴线，一个籽晶锥，一个端锥，一个在籽晶锥和端锥之间具有一侧表面的恒定直径部分，及一个从中心轴线延伸到侧表面的半径，该方法包括：在恒定直径部分内部形成一个区域，其中空位是主要的本征点缺陷；将晶锭的侧表面加热到一个温度，该温度超过上述区域中的温度，以便使硅自填隙原子从热的表面向里流入上述区域，这样减少上述区域中的空位浓度；以及，使上述区域温度在高于温度TA下保温，在上述区域形成和从侧表面向内流入硅自填隙原子之间的这段时间里，在上述温度TA下发生空位点缺陷附聚成附聚的缺陷。
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