[发明专利]具有改进微型结构的层状超晶格材料的制造方法无效
| 申请号： | 01818340.9 | 申请日： | 2001-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN1613138A | 公开（公告）日： | 2005-05-04 |
| 发明（设计）人： | 柄泽润一;维克伦·荷西 | 申请（专利权）人： | 塞姆特里克斯公司;精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/316 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 夏青 |
| 地址： | 美国哥*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在制造集成电路时，第一电极(48)形成在衬底(28)上。在第一实施例中，在第一电极(48)的顶部形成钽酸锶铋层(5)和第二电极(52)。在最后晶化退火之前，对第一电极(48)、钽酸锶铋层(50)和第二电极(52)进行构图。然后在衬底(28)上进行最后晶化退火。在第二实施例中，在第一和第二层(50)、(132)的顶部形成第二电极(52)之前，在钽酸锶铋层(50)的顶部淀积第二层钽酸锶铋层(132)。在第三实施例中，在钽酸锶铋层(50)上进行精细控制的UV烘焙工艺。在第四实施例中，在构图工艺之后和最后晶化退火工艺之前，在衬底上进行附加的快速热退火工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 微型 结构 层状 晶格 材料 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造集成电路(40)的方法，所述方法的特征在于以下步骤：提供衬底(28)，以及含有有效量金属部分的前体，用于在加热所述前体时自发形成层状超晶格材料(50)；向所述衬底(28)施加所述前体以形成涂层；对所述涂层进行构图；及然后处理所述被涂敷的衬底(28)，以晶化所述层状超晶格材料(50)的薄膜；和完成所述集成电路(40)的制造，以便在所述集成电路(40)中的有源部件中至少包括所述层状超晶格材料(50)的一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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