[发明专利]由多晶硅装料制备熔化的硅熔体的方法和装置无效
| 申请号： | 01818537.1 | 申请日： | 2001-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN1473212A | 公开（公告）日： | 2004-02-04 |
| 发明（设计）人： | R·H·菲尔克霍夫;M·巴纳;J·D·霍尔德 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06;C30B15/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 马江立;李峥 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于在拉晶装置中由多晶硅制备熔化的硅熔体的方法和装置，要求装入坩埚中的多晶硅装置少于要熔化的预定的多晶硅总量。将坩埚加热，以便在坩埚中形成具有暴露于熔化的硅的上表面之上的未熔化的多晶硅岛的部分熔化的装料。从加料器将粒状多晶硅加到未熔化的多晶硅岛上，直至已将预定的多晶硅总量装入坩埚为止。随着将粒状多晶硅加到上述岛上，用电子学方法确定该岛相对于坩埚侧壁的位置。根据所确定的该岛相对于坩埚侧壁的位置，控制从加料器将粒状多晶加到未熔化的多晶硅岛上的加料速率。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 装料 制备 熔化 硅熔体 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于在拉晶装置中由多晶硅制备熔化的硅熔体的方法，该方法包括：将多晶硅装到一个坩埚中，装入坩埚中的多晶硅的量显著地少于要在坩埚中熔化的预定的多晶硅总量；将坩埚加热到使坩埚中的多晶硅熔化，以便在坩埚中形成部分熔化的装料，该部分熔化的装料包括具有上表面的熔化的硅和一个暴露在熔化的硅的上表面之上的未熔化的多晶硅岛；从一个加料器以一个加料速率有选择地将粒状多晶硅加到坩埚中未熔化的多晶硅岛上，直至已将该预定的多晶硅总量装入坩埚为止；用电子学方法确定未熔化的多晶硅岛相对于坩埚侧壁的位置，上述确定步骤是随着粒状多晶硅加到坩埚中未熔化的多晶硅岛上而进行的；和根据所确定的未熔化的硅岛相对于在熔化的硅的上表面处的坩埚侧壁的位置，控制从加料器将粒状多晶硅加到未熔化的多晶硅岛上的加料速率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于MEMC电子材料有限公司，未经MEMC电子材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01818537.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
