[发明专利]单晶,溶液中生长单晶的制造方法和应用

摘要

本发明涉及一种组成为Z(H，D)₂MO₄的四方单晶(1，11)，其中Z是一种元素或元素组，或元素混合物和/或元素组混合物，它选自K，N(H，D)₄，Rb，Ce组；M是选自P，As的元素；(H，D)是氢和/或氘，它包括大尺寸的近似平行六面体的区域，特别是每个面的边长AC1，AC2，AC3大于或等于200mm，优选大于或等于500mm，它由近似平行六面体籽晶(2，22)在溶液中生长而得到，其中籽晶的面的边长是AG1，AG2，AG3。本发明的特征在于，至少一个籽晶的边长AG1大于或等于十分之一的单晶的边长，优选为四分之一，以及籽晶的至少另一边长AG3小于或等于最长的籽晶边长五分之一，优选为十分之一。本发明同样涉及一种可以得到这种四方单晶的方法。这种晶体特别感兴趣的是制造光学元件，尤其是应用于激光器的光学元件。

主权项

1.四方单晶(1，11)组成：Z(H，D)2MO4 式中Z是选自K，N(H，D)4，Rb，Ce的一种元素或元素组，或元素和/或元素组的混合物M是选自P，As的元素和(H，D)是氢和/或氘其单晶包括一个大尺寸的近似平行六面体区域，其每一个面的边长，AC1，AC2，AC3大于或等于200mm，优选大于或等于500mm，由近似平行六面体的单晶籽晶(2，22)在溶液中结晶生长而获得，其中，籽晶面的边长是AG1，AG2，AG3，其特征在于至少一个籽晶边长AG1大于或等于单晶面边长的十分之一，优选地四分之一，其特征还在于至少另一个籽晶边长AG3小于或等于籽晶面最长边长的五分之一，优选十分之一。