[发明专利]铜的化学机械抛光所用的浆料和方法无效
| 申请号： | 01818940.7 | 申请日： | 2001-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN1494740A | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 肯尼思·C·卡迪恩;安妮·E·米勒;艾伦·D·费勒 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人： | 杜娟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种铜抛光浆料可以通过将下列物质组合在一起而形成：螯合有机酸缓冲体系，如柠檬酸和柠檬酸钾；研磨剂，如胶体二氧化硅。这种铜抛光浆料在集成电路的制造中很有用，具体地说，在铜和铜扩散阻断层的化学机械抛光中很有用。另一种铜抛光浆料可通过进一步与氧化剂如过氧化氢，和/或腐蚀抑制剂如苯并三唑相组合而形成。按照本发明的浆料的优良性质包括：Cu的移除速率提高到＞3000埃每分钟。与现有技术相比，在获得这一较高的抛光速率的同时维持了局部pH的稳定性，并显著减少了整体和局部腐蚀。局部pH的稳定能够减少晶片内部的不均一性并减少腐蚀缺陷。而且，铜扩散阻断层，如钽或氮化钽，也可利用不包括氧化剂在内的此类浆料进行抛光。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 所用 浆料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成铜互连线的方法，包含：在至少一个镶嵌结构中形成铜扩散阻断层；在阻断层上形成铜层；使用包含螯合有机酸缓冲体系、胶体二氧化硅和氧化剂的浆料，通过化学机械抛光除去铜层的一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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