[发明专利]集成电路中检查层之间的覆盖偏移的修正有效
申请号: | 01818994.6 | 申请日: | 2001-09-04 |
公开(公告)号: | CN1535475A | 公开(公告)日: | 2004-10-06 |
发明(设计)人: | D·穆拉迪安;A·萨加特利安 | 申请(专利权)人: | HPL技术公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吴立明;张志醒 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 用于确定坐标系统的原点之间的偏移的第一方法,用于对其上排列集成电路的晶片检查至少两个不同的缺陷检查,包括:建立包含集成电路晶片的至少两个检查层上排列的缺陷的位置数据的数据库;确定层间缺陷的最大偏移;确定层内缺陷的最小间距;对间距大于最小间距的全部缺陷,从数据库搜索包含偏移小于最大偏移的层间缺陷对;计算每个层间缺陷对的实际偏移;确定实际偏移是否是随机分布;如果它们不是随机分布,识别实际偏移的密集区;并得到至少两层的原点之间的偏移估计和对所述实际偏移的估计的置信值。第二种方法包括:从数据库识别至少一个有缺陷数nd的芯片,其中0≤nd≤k,此处k是小于或等于5的整数;在至少一个芯片上识别全部层间缺陷对;计算每个层间缺陷对的实际偏移,以代替确定层间缺陷的最大偏移和代替确定层内缺陷的最小间距。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 检查 之间 覆盖 偏移 修正 | ||
【主权项】:
1.一种用于确定坐标系统的原点之间的偏移的方法,用于其上排列集成电路的晶片的至少两次不同的缺陷检查的检查,方法包括:建立数据库,它包含集成电路晶片的至少两个检查层上排列的缺陷的位置数据;确定层间缺陷的最大偏移;确定层内缺陷的最小间距;对间距大于所述最小间距的全部缺陷,从所述数据库搜索具有偏移小于所述最大偏移的层间缺陷对;计算每个层间缺陷对的实际偏移;确定所述实际偏移是否随机分布;如果所述实际偏移不是随机分布,识别所述实际偏移的密集区;和得到对所述至少两层的原点之间的偏移的估计,以及对所述实际偏移的所述估计的置信值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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