[发明专利]接触孔图案化用的明场图像反转

摘要

一种形成微小接触孔(160)的方法，使用一个明场掩模(130)以形成一个微小圆柱(140)于一层正型抗蚀剂层(120)上。负型抗蚀剂层(150)环绕圆柱形成，且接着回蚀刻或抛光以留下微小圆柱顶端部分暴露于负型抗蚀剂层上。使负型抗蚀剂层与微小圆柱(正型抗蚀剂)曝光于光线下，且接着使之与显影剂接触。结果留存一个微小接触孔(160)于微小圆柱先前形成之处。

主权项

1.一种形成半导体装置的接触孔的方法，包括：形成一层中间层电介质层(110)于一个基片(100)上，且接着形成一层正型抗蚀剂(120)于中间层电介质层上；使用一个明场掩模(130)照射正型抗蚀剂以形成一层照射的正型抗蚀剂层，其中该明场掩模具一个图案，对应于欲形成于半导体装置里的一个接触孔；显影正型抗蚀剂，以便移除照射的正型抗蚀剂层，从而仅留下部分正型抗蚀剂残留于中间层电介质层上；施加一层负型抗蚀剂(150)以覆盖中间层电介质层与部分正型抗蚀剂；使负型抗蚀剂凹陷使得部分正型抗蚀剂的一个顶端区域延伸于凹陷的负型抗蚀剂上；使凹陷的负型抗蚀剂与部分正型抗蚀剂曝光于大量光线；并施加显影剂至半导体装置以便移除部分正型抗蚀剂，其中形成接触孔(160)于部分正型抗蚀剂先前形成的位置。