[发明专利]曝光设备、曝光法及器件制造法无效
| 申请号： | 01819363.3 | 申请日： | 2001-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN1476629A | 公开（公告）日： | 2004-02-18 |
| 发明（设计）人： | 白石直正 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 武玉琴;顾红霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在曝光设备(100)中，主控制器(50)根据从辐射系统(20a)辐射的探测光束从保护性元件的前后表面反射的第一和第二反射光束、并由光电探测系统(20b)接收的探测信号计算保护掩模(R)的图案面的透光保护性元件的厚度。这样能够考虑进依据保护性元件计算出厚度的图像图案成象状态的变化进行曝光。因此，可以高精度地曝光，保护掩模图案面的保护性元件的厚度差不影响曝光。另外，当探测光束的入射角得到优化时，将不需要在光电探测系统中设置探测偏差或重置原点。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 设备 器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种对掩模辐射能量束并将形成在所述掩模上的图案转印到基片上的曝光设备，所述曝光设备包括：一个探测单元，探测一个透光保护性元件的厚度，其中所述透光保护性元件用于保护其上形成有图案的所述掩模的图案面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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