[发明专利]半导体装置和通信系统用机器无效
| 申请号： | 01819415.X | 申请日： | 2001-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN1476638A | 公开（公告）日： | 2004-02-18 |
| 发明（设计）人： | 横川俊哉;铃木朝实良;出口正洋;吉井重雄;古屋博之 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H04M1/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明缓和高耐压和低电阻的折衷，提供低耗电、高耐压半导体装置，及用这种装置的通信系统用机器。其解决方法为，HEMT，包括InP基板(201)上的，由InAlAs层(202)、InGaAs层(203)、n型掺杂层(204a)、及无掺杂层(204b)相互交错沉积而成的多重δ掺杂InAlAs层(204)、InP层(205)、肖特基栅电极(210)、源电极(209a)及漏电极(209b)。电流流过InGaAs层(203)内的多重δ掺杂InAlAs层(204)的界面附近区域(沟道区域)时，对于通过载流子供应层的多重δ掺杂InAlAs层(204)的载波移动电阻会降低，且可以提高非接通时的耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 通信 系统 机器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征为：包含有设置在基板上的，由第1半导体制成的至少一个第1活性区域；由与上述第1活性区域连接设置，并使它与上述第1活性区域之间产生频带不连续的，且与上述第1半导体具有不同频带间隙的第2半导体构成的至少一个第2活性区域；上述第2活性区域的构成，是可能通过载流子的至少1个第1半导体层；与含有比上述第1半导体层更高浓度的载流子用杂质的，膜厚比上述第1半导体层更薄，可以利用量子效果向上述第1半导体层渗入载流子的至少1个第2半导体层连接设置而成。
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