[发明专利]自对准非易失性存储单元无效
| 申请号： | 01819813.9 | 申请日： | 2001-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN1478303A | 公开（公告）日： | 2004-02-25 |
| 发明（设计）人： | B·洛耶克;A·L·伦宁格 | 申请（专利权）人： | 爱特梅尔股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 揭示了一种自对准非易失性存储单元(200)，它包括电连接于并位于主浮栅区域(212)的旁边的一小侧壁隔离层(239)。该小侧壁隔离层(239)及主浮栅区域(212)形成在一衬底(204)上，两者形成非易失性存储单元的浮栅，且两者均由一氧化物层(232)与衬底电绝缘，此氧化物层是在小侧壁绝缘层(239)及衬底(204)之间的一较薄层(260)并且是主浮栅区域(212)和衬底(204)之间的一较厚层(263)。该小侧壁隔离层(239)可以做得很小，所以该薄氧化物层的面积也可以做得很小以形成一供电子隧穿入浮栅的小通道。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 非易失性 存储 单元 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储单元，它包括：一半导体衬底，在衬底中有漏极和源极；一浮栅，形成在所述衬底上，所述浮栅包括一主浮栅区域和一电耦合在一起的小的侧壁隔离层；一第一绝缘层，它使所述浮栅与衬底隔开，所述第一绝缘层包括一第一绝缘部分和一第二绝缘部分，所述第一绝缘部分使所述小侧壁隔离层与所述衬底隔开，所述第二部分使所述主浮栅区域与所述衬底隔开，其中，所述第一绝缘部分比所述第二绝缘部分薄；一控制栅，它形成在所述浮栅上；一第二绝缘层，它使所述控制栅和所述浮栅隔开。
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