[发明专利]短沟道碳化硅功率MOSFETS及其制造方法有效
| 申请号： | 01820007.9 | 申请日： | 2001-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN1478302A | 公开（公告）日： | 2004-02-25 |
| 发明（设计）人： | 柳世衡;A·阿加瓦尔;M·K·达斯;L·A·利普金;J·W·帕尔穆尔;R·辛 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/24;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供碳化硅金属－氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及其制造方法。碳化硅MOSFET有n型碳化硅漂移层，在n型漂移层内包含有一定间隔的、其中又包含n型碳化硅区的p型碳化硅区，和氮化的氧化层。MOSFET还有n型短沟道，从相应的n型碳化硅区穿过p型碳化硅区延伸到n型碳化硅漂移层。在另一个实施例中，提供碳化硅MOSFET及其制造方法，MOSFET包括施加零栅偏压时为配置为自耗尽源区的一个区域，其处在n型碳化硅区和漂移层之间，与氧化层相邻。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 碳化硅 功率 mosfets 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管，其包括：双注入碳化硅MOSFET，有n型碳化硅漂移层、在n型碳化硅漂移层内包含有一定间隔并且其中包含n型碳化硅区的p型碳化硅区，和在n型碳化硅漂移层上的氮化的氧化层；和n型短沟道，从相应的n型碳化硅区穿过p型碳化硅区并延伸到n型碳化硅漂移层。
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