[发明专利]磁阻性内存及其读取方法

摘要

本发明系有关于一种磁阻性内存，且主要特征系具有一第一极点之一控制电路(1)，其系可以经由一读取分配器(14)，利用切换组件(8a，8b)个别连接至位线(4a，4b)之第一端。这个控制电路亦具有一第二极点，其系供应功率至一评估器(2)，以及具有一第三极点，其系连接至一参考电压源(U5)。另外，这个读出电路系具有一第三电压源(U3)，具有一电压，其系约略等于这个第一读取电压源(U1)之电压、且其系可以利用切换组件(9a，9b)个别连接至这些位线(4a，4b)之第二端。最后，这个读出电路系具有一第四电压源(U4)，其系可以利用切换组件(7a，7b)个别连接至这些字符线(5a，5b)之第二端。

主权项

1.一种磁阻性内存，包括：一磁阻性内存胞元排列(3a，3b，3c，3d)，其系排列为二或更多列及/或二或更多行，具有一电阻及一二极管功能；用于各行之一位线(4a，4b)，其系连接至属于该行之该等内存胞元(3a，3b，3c，3d)之第一极点；用于各列之一字符线(5a，5b)，其系连接至属于该列之该等内存胞元(3a，3b，3c，3d)之第二极点；以及一第一读取电压源(U1)，其系具有一第一电压，利用切换组件(6a，6b，17)个别连接至该等字符线之第一端，其特征在于：一控制电路(1)，具有：一第一极点，其系可以经由一读取分配器(14)利用切换组件(8a，8b)个别连接至该等位线(4a，4b)之第一端；一第二极点，经由该第二极点，电流系可以馈入一评价装置(2)；以及一第三极点，其系连接至一参考电压源(U5)；一第三电压源(U3)，其系具有一电压，约略相等于该第一读取电压源(U1)之电压、并可以经由切换组件(9a，9b)连接至该等位线(4a，4b)之第二端；以及一第四电压源(U4)，其系可以经由切换组件(7a，7b)个别连接至该等字符线(5a，5b)之第二端；其中，该参考电压源(U5)之电压及该控制电路(1)系进行设计，藉以使在该第一极点出现一电压，约略对应于该第四电压源(U4)之电压；并使流过该控制电路(1)之该第二极点之电流约略相等于流过该控制电路(1)之该第一极点之电流，且该电流系无关于在该控制电路(1)之该第二极点出现之电压。