[发明专利]活化浆料化学机械平整系统及其实施方法无效
| 申请号： | 01820223.3 | 申请日： | 2001-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN1479665A | 公开（公告）日： | 2004-03-03 |
| 发明（设计）人： | Y·戈特基斯 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B53/007;B24B57/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供在化学机械平整(CMP)系统(200a)中增强晶片的顶层的材料去除速度的方法。该方法包括在浆料(218)被施加到晶片(202)的顶层之前辐射适量的浆料(218)。在一个例子中，该方法还包括提供抛光垫(208)和用于保持晶片(202)的支架头。该方法还包括通过使抛光垫(208)与支架头接触，在抛光垫(208)、晶片顶层和被辐射的浆料(218)之间形成机械抛光界面。 | ||
| 搜索关键词： | 活化 浆料 化学 机械 平整 系统 及其 实施 方法 | ||
【主权项】：
1、一种化学机械平整(CMP)设备，包括：抛光垫，其被构型成接收浆料化学品；支架头，其被构型成保持具有金属表面层的晶片，支架头与抛光垫被构型成在用浆料化学品抛光金属表面层的过程中机械地界面接触；和辐射单元，其被构型成应用到浆料输送位置之后和抛光垫进入晶片下面之前的一位置处的抛光垫上面，从而恰好在晶片的金属表面层与抛光垫机械地界面接触前将浆料化学品暴露于辐射。
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